Intel Foundry ha presentado un avance técnico importante en semiconductores de potencia: un chiplet de nitruro de galio, o GaN, con una base de silicio de solo 19 micrómetros. La compañía afirma que el componente se obtuvo a partir de una oblea GaN sobre silicio de 300 mm y que combina transistores GaN con circuitos digitales de silicio en el mismo chip. Es un resultado de investigación, no un producto comercial listo para comprar, pero apunta a una dirección clara para centros de datos, redes y electrónica de alta eficiencia.
El dato de los 19 micrómetros es llamativo porque equivale aproximadamente a una quinta parte del grosor de un cabello humano. Reducir el sustrato a ese nivel permite colocar el chiplet en paquetes avanzados sin aumentar demasiado la altura total. En sistemas de alto rendimiento, donde cada milímetro y cada pérdida de energía importan, esa reducción puede facilitar diseños más compactos.
Por qué GaN interesa a Intel
El nitruro de galio tiene ventajas frente al silicio tradicional en determinadas aplicaciones de potencia y radiofrecuencia. Puede manejar voltajes altos, conmutar con rapidez y perder menos energía durante el proceso. Intel explica que estos rasgos son útiles para convertir y entregar energía cerca de procesadores, aceleradores gráficos, servidores y equipos de comunicaciones. La demanda de IA, redes 5G y 6G, y sistemas cada vez más densos hace que la eficiencia eléctrica sea un problema de diseño central.
La parte más relevante del anuncio no es solo el grosor. Intel Foundry dice haber integrado transistores de potencia GaN y lógica digital basada en silicio dentro del mismo proceso. Normalmente, la parte de potencia y la parte de control pueden estar separadas en chips distintos. Al acercarlas, se pueden reducir pérdidas, simplificar el paquete y mejorar la velocidad de respuesta. Intel también menciona pruebas de fiabilidad, un paso necesario antes de pensar en usos reales.
Un avance de investigación, no una promesa inmediata
La compañía presentó este trabajo en el marco del IEEE International Electron Devices Meeting 2025. Eso indica que hablamos de una demostración técnica revisada dentro de la comunidad de dispositivos semiconductores, no de una línea de producción masiva anunciada para clientes finales. Intel Foundry aún debe demostrar coste, rendimiento de fabricación, integración con clientes y ventajas medibles frente a soluciones existentes.
Aun así, el avance encaja con la apuesta de Intel por una fundición de sistemas. La empresa quiere ofrecer no solo nodos de fabricación, sino también empaquetado avanzado, chiplets y tecnologías que ayuden a resolver problemas de energía y comunicación dentro de chips complejos. Si el GaN ultrafino puede fabricarse sobre obleas de 300 mm y combinarse con lógica digital, podría convertirse en una pieza útil para futuras plataformas de IA y comunicaciones.
El avance exige cautela: Intel Foundry ha mostrado una tecnología prometedora, con medidas concretas y una fuente oficial clara. Falta ver cuándo, cómo y para qué clientes llegará a productos reales.
