Intel Foundry Services (IFS) ha presentado esta semana una tecnología de chiplets basada en nitruro de galio (GaN) construida sobre obleas de silicio de 300 mm, el formato estándar de la industria de semiconductores. El detalle técnico que concentra la atención del sector es el tamaño de las estructuras: 19 micrómetros, una escala que, según la compañía, hace compatible esta tecnología con las líneas de producción convencionales a gran escala, sin necesidad de infraestructura especializada adicional.
Qué implica fabricar GaN en obleas de 300 mm
El nitruro de galio lleva años consolidado como material preferente en aplicaciones de electrónica de potencia y radiofrecuencia, gracias a su capacidad para soportar voltajes elevados y operar a frecuencias altas con pérdidas mínimas. Sin embargo, su fabricación ha estado históricamente ligada a sustratos propios o a obleas de silicio de menor diámetro, lo que encarecía el proceso y limitaba el volumen de producción. La clave de la propuesta de IFS reside precisamente en trasladar ese proceso a obleas de 300 mm, el estándar dominante en la fabricación de chips de consumo y servidor, lo que permite aprovechar la capacidad instalada existente y reducir costes por unidad de forma significativa.
El enfoque de chiplet es igualmente relevante en este contexto. En lugar de integrar el GaN en un monolítico único, la arquitectura de chiplets permite combinar distintos tipos de materiales y funciones en un mismo encapsulado, facilitando la integración de componentes de potencia junto a lógica de silicio convencional. Esta estrategia está en línea con la dirección que ha tomado la industria en los últimos años, desde AMD e Intel hasta TSMC, con sus respectivos enfoques de integración heterogénea.
El contexto de IFS y la apuesta por materiales avanzados
Intel Foundry Services opera como la división de fabricación por encargo de Intel, creada para competir con TSMC y Samsung en el mercado de foundry. La presentación de esta tecnología GaN encaja en una estrategia más amplia de diferenciación técnica: ofrecer a clientes externos capacidades de fabricación que van más allá del silicio tradicional, incluyendo materiales como el nitruro de galio o el carburo de silicio (SiC), especialmente demandados en sectores como la automoción eléctrica, las telecomunicaciones 5G y los sistemas de gestión energética industrial.
La presentación tuvo lugar en el marco de un evento técnico de la compañía, aunque Intel no ha publicado hasta el momento una nota de prensa oficial con datos de rendimiento, calendarios de producción en volumen ni precios orientativos. Los detalles técnicos completos, incluyendo las especificaciones de resistencia de encendido, tensión de ruptura y temperatura de operación, no han sido confirmados de forma independiente fuera de las comunicaciones de la propia empresa.
Lo que queda por confirmar
La capacidad de fabricar chiplets GaN sobre obleas de 300 mm con estructuras de 19 micrómetros representa un paso técnico relevante si los datos de rendimiento resultan competitivos frente a las soluciones actuales de SiC y GaN discreto. No obstante, el salto de la demostración técnica a la producción en volumen es el punto crítico que la industria observará con atención. Intel no ha concretado públicamente qué clientes están evaluando la tecnología ni en qué plazo prevé disponibilidad comercial. El próximo hito verificable será la publicación de resultados detallados en conferencias técnicas especializadas, como el IEEE International Electron Devices Meeting, donde este tipo de avances suelen someterse al escrutinio de la comunidad científica.
